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J-GLOBAL ID：200903097191059491

スパッタリングタ-ゲット組立体及びその製造方法

Inventor： 山越 康廣 ,  宮下 博仁
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 今井 毅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996122345
Publication number (International publication number)：1997287072
Application date： Apr. 19, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【目的】 スパッタリング時における付着膜の剥離を効果的に防止してパ-ティクル発生を抑えることができ、かつマイクロア-キングを生じる等といった問題を伴うことのないスパッタリングタ-ゲット組立体を提供する。【構成】 スパッタリングタ-ゲット組立体を、スパッタリングタ-ゲット部1及びバッキングプレ-ト部2の少なくとも側面(1′,2′)が直径 500μm以下の球面状くぼみの集合体で構成される粗面とされ、かつ該粗面の中心線平均粗さRa が 1.0〜10.0μmで、表面粗さ曲線の平均山間隔(Sm値)が10.0μm以上に調整されて成る構成とする。なお、その製造には、スパッタリングタ-ゲット組立体のスパッタリングタ-ゲット部及びバッキングプレ-ト部の少なくとも側面を直径 500μm以下の球状ブラスト材にてブラスト処理し粗面化する方法が適している。

Claim (excerpt)：

スパッタリングタ-ゲット部及びバッキングプレ-ト部の少なくとも側面が直径 500μm以下の球面状くぼみの集合体で構成される粗面とされ、かつ該粗面は中心線平均粗さRa が 1.0〜10.0μmで、表面粗さ曲線の平均山間隔(Sm値)が10.0μm以上に調整されて成ることを特徴するスパッタリングタ-ゲット組立体。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/00 ,  H01L 21/203

FI (4)：

C23C 14/34 B ,  C23C 14/34 C ,  C23C 14/00 B ,  H01L 21/203 S