Pat

J-GLOBAL ID：200903097195268605

半導体装置の製造方法

Inventor： 西 山 彰
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992256938
Publication number (International publication number)：1994112158
Application date： Sep. 25, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 微細化されたSi系半導体領域に低抵抗の金属シリサイドを形成することができる、半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 金属シリサイド層形成工程として、Arをイオン注入することによってn+拡散層12およびゲート電極13の表面にAr注入層15を形成する工程と、全面にチタン膜16を形成する工程と、n+拡散層12およびゲート電極13とチタン膜16との界面にアニールにより準安定な金属シリサイド相であるTiSi2 (C49)膜17を形成する工程と、TiSi2 (C49)膜17とならなかった部分からなる混合層18を選択的に除去する工程と、アニールによりTiSi2 (C49)膜17に相転移を生じさせてTiSi2 (C54)膜19を形成する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

シリコン系半導体領域上に金属シリサイド層を形成する金属シリサイド層形成工程を含む半導体装置の製造方法であって、この金属シリサイド層形成工程が、前記シリコン系半導体領域の全面に金属層を形成する金属層形成工程と、前記シリコン系半導体領域と前記金属層とを反応させることにより準安定な相の金属シリサイド層を形成する反応工程と、前記金属層のうち、前記反応工程で前記金属シリサイド層とならなかった部分を除去する金属除去工程と、金属除去後の前記金属シリサイド層に熱処理を施して相転移を起こさせる熱処理工程と、前記金属層形成工程の前、または、この金属層形成工程の後で前記熱処理工程の前に行われる、イオン注入工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-240017
  
• 特開平1-179415
  
• 特開平3-196561
  
• 特開平4-226025