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J-GLOBAL ID：200903097212761590

多重トンネル接合、トンネル磁気抵抗効果素子、磁気センサおよび磁気記録センサヘッド

Inventor： 佐藤 俊彦 ,  中谷 亮一 ,  稲葉 信幸
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997221501
Publication number (International publication number)：1999068192
Application date： Aug. 18, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 室温で動作可能にする。【解決手段】 絶縁体層からなる基板11上に軟磁性体材料からなる第1の軟磁性体層210を形成し、基板11、軟磁性体層210上に絶縁層350を形成し、軟磁性体層210上の絶縁層350により囲まれた領域に誘電体薄膜からなる第1、第2のトンネルバリア層310、311を形成し、トンネルバリア層310とトンネルバリア層311との間に粒径が10nm以下の強磁性体材料からなる強磁性体微粒子110を設け、トンネルバリア層311上に軟磁性体材料からなる第2の軟磁性体層211を形成する。

Claim (excerpt)：

平面基板上に軟磁性体材料、強磁性体材料の一方からなる第1の磁性体層を形成し、上記第1の磁性体層上に第1、第2のトンネルバリア層を形成し、上記第1、第2のトンネルバリア層間に軟磁性体材料、強磁性体材料の他方からなる磁性体微粒子を設け、上記第2のトンネルバリア層上に軟磁性体材料、強磁性体材料の一方からなる第2の磁性体層を形成したことを特徴とする多重トンネル接合。

IPC (5)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/035 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00

FI (5)：

H01L 43/08 Z ,  G01R 33/035 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  G01R 33/06 R