半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999246578
Publication number (International publication number)：2001077050
Application date： Aug. 31, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】素子の微細化を進めても電気的特性の劣化を招くことなく、ソース/ドレイン拡散層上にCoSi2 膜を形成すること【解決手段】基板温度を100°C以下の低温に保った状態で、シリコン基板11に砒素イオンを注入した後、熱処理を行ってソース/ドレイン拡散層16を形成する。次にソース/ドレイン拡散層16上にコバルト膜19を堆積した後、熱処理を行ってCoSi2 膜23を形成する。このとき、上記熱処理を2回に分けて行う。最初の熱処理を400°C以上500°C以下で行ってCoSi膜22を形成し、次の熱処理を800°C以上900°C以下で行ってCoSi膜22をCoSi2 膜23に変える。

Claim (excerpt)：

シリコン領域の温度を-100°C以下に保った状態で、前記シリコン領域に不純物イオンを注入した後、前記シリコン領域に熱処理を施すことによって、不純物拡散領域を形成する工程と、前記不純物拡散領域の表面にシリサイド膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/26 , H01L 21/265 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/28 301 S , H01L 21/26 F , H01L 21/265 602 B , H01L 29/78 301 P

F-Term (22)：

4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB23 , 4M104DD26 , 4M104DD37 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH04 , 5F040DA20 , 5F040EC01 , 5F040EC07 , 5F040EC13 , 5F040EF02 , 5F040EF09 , 5F040FA07 , 5F040FB02 , 5F040FB04 , 5F040FC19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-070095 Applicant：ソニー株式会社
コバルトシリサイド膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-202661 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-032977 Applicant：ソニー株式会社

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