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J-GLOBAL ID：200903097254026491
半導体集積回路
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991269823
Publication number (International publication number)：1993109288
Application date： Oct. 18, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】外部電源電圧が内部電源電圧付近まで低下しても内部電源電圧を所要値付近に維持し性能劣化を防止する。【構成】内部電源電圧VIが設定したしきい値電圧VTより低下したことを検出する差動回路1を有するしきい値検出回路を備える。しきい値検出回路の出力により外部電源を内部電源回路に直接接続するトランジスタT4を備える。
Claim (excerpt)：
外部電源電圧を降圧して内部電源回路の予め定めた内部電源電圧を生成する電圧調整回路を備えた半導体集積回路において、前記電圧調整回路は前記内部電源電圧が予め定めたしきい値より低下したことを検出するしきい値検出回路と、前記しきい値検出回路の出力により前記外部電源を前記内部電源回路に直接接続するよう導通させるスイッチ回路とを備えることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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