GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体結晶基材

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999077267
Publication number (International publication number)：2000277435
Application date： Mar. 23, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 GaN系化合物半導体結晶のエピタキシャル成長において、マスク材料を用いること無しに転位密度を低減させ、高品質なエピタキシャル膜を得るための成長方法を提供すること。【解決手段】基板1表面にGaN系化合物半導体膜2を形成した後、SiO2パターン3をその上に形成し、次いでこのパターン3を水素を含む雰囲気で蒸発させることによりアンチサーファクタント領域(Si残留部4)を選択的に形成する。このアンチサーファクタント領域上部に空洞5を形成しながらGaN系化合物半導体結晶20をエピタキシャル成長させる。転位線6は空洞5で遮断されるため、高品質なGaN系化合物半導体結晶20が得られる。

Claim (excerpt)：

基板表面にアンチサーファクタント領域を選択的に形成し、アンチサーファクタント領域上部に空洞を形成しながらGaN系化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる工程を有することを特徴とするGaN系化合物半導体結晶の成長方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C

F-Term (19)：

5F041AA40 , 5F041CA33 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045CA09 , 5F045CA13 , 5F045DA67 , 5F045DB02 , 5F045DB04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体基材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-037577 Applicant：三菱電線工業株式会社
III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-313841 Applicant：富士電機株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-322132 Applicant：豊田合成株式会社

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