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J-GLOBAL ID：200903097265907090

多層膜磁気記録媒体及び磁気記憶装置

Inventor： 細江 譲 ,  城石 芳博 ,  石川 晃 ,  山本 朋生 ,  竹下 正敏 ,  屋久 四男 ,  尾嵜 明 ,  棚橋 究
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992310652
Publication number (International publication number)：1994162472
Application date： Nov. 20, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】多層膜磁気記録媒体の保磁力低下を防止すると同時に磁気ヘッド摺動に対する強度を高くする。【構成】非磁性基板11と非磁性基板11上に形成された複数の磁性層13、15及び磁性層13、15の間に配置された非磁性中間層14を有する磁気記録媒体において、非磁性中間層14の層厚方向の少なくとも一部領域がC、B、Si、Ge、Ni-P合金層、又は、C、B、Ge、Si、Ni-P合金を主たる成分とする層、又は、C、B、Si、Ge、Ni-P合金の窒化物層又はB、Ge、Ni-P合金の酸化物の層により構成する。【効果】保持力を低下させることなく、ノイズを低減でき、かつ、磁気記録媒体の強度を従来に比べ2〜3割増大できるため、記録密度が1平方インチ当たり600メガビット以上で、しかも、MTBFが15万時間以上の高密度高信頼の磁気記憶装置を提供することができる。

Claim (excerpt)：

非磁性基板上に直接又は下地層を介して形成された複数の磁性層及び上記磁性層の間に配置された非磁性中間層を有する磁気記録媒体において、上記非磁性中間層の層厚方向の少なくとも一部領域がC、B、Si、Ge、Ni-P合金層、又は、C、B、Ge、Ni-P合金を主たる成分とする層、又は、C、B、Si、Ge、Ni-P合金の窒化物又はB、Ge、Ni-P合金の酸化物層から成ることを特徴とする多層膜磁気記録媒体。