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J-GLOBAL ID：200903097266664264

化合物半導体用不純物原料

Inventor： 河合 弘治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993178006
Publication number (International publication number)：1995037820
Application date： Jul. 19, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 III-V族化合物半導体のp型不純物としてカーボンをドーピングする際に、拡散係数が比較的小さく、且つそのドーピング量の制御が行い易い不純物原料を提供する。【構成】 炭素Cに4つの基が結合されて成り、その4つの基の解離エネルギーが350kJ未満である材料とする。

Claim (excerpt)：

炭素Cに4つの基が結合されて成り、上記4つの基の解離エネルギーが350kJ未満であることを特徴とする化合物半導体用不純物原料。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-190122
  
• 特開平2-272722
  
• II-VI族化合物半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-082461   Applicant：国際電信電話株式会社