ドライエッチング方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993348467
Publication number (International publication number)：1995193055
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、シリコンの自然酸化膜の除去が必要である被処理体のエッチングにおいて、被処理体に損傷を与えることなく、効率良くしかも低コストで被処理体をドライエッチングできる方法を提供することを目的とする。【構成】シリコン酸化膜が表面に形成された被処理体を反応容器内に設置し、インターハロゲンガスおよび酸素とハロゲンの化合物からなるガスのうち少なくとも1つのガス、並びに少なくとも水素原子を有する化合物を含むガスを前記反応容器内に導入し、かつ、前記被処理体を冷却することにより前記シリコン酸化膜をエッチングすることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

シリコン酸化膜が表面に形成された被処理体を反応容器内に設置し、インターハロゲンガスおよび酸素とハロゲンの化合物からなるガスのうち少なくとも1つのガス、並びに少なくとも水素原子を有する化合物を含むガスを前記反応容器内に導入し、かつ、前記被処理体を冷却することにより前記シリコン酸化膜をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , C30B 33/08 , C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 F , H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-280536
半導体基板表面の処理方法および処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-307834 Applicant：川崎製鉄株式会社
特開平3-252130

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