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J-GLOBAL ID：200903097293590949
半導体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994032106
Publication number (International publication number)：1995240560
Application date： Mar. 02, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高出力でもキンクの生じない半導体レーザを提供する。【構成】 n型GaAs基板1上に、n型外側クラッド層2、n型ガイド層3、n型内側クラッド層4、多重量子井戸活性層5、p型内側クラッド層6、p型ガイド層7、p型外側クラッド層8、p型バッファ層9、p型キャップ層10を積層し、エッチングによりメサ状ストライプを形成し、n型GaAsブロック層12をメサ脇に積層し、p型GaAsコンタクト層13をメサ部及びメサ脇部に積層する。メサ部分では端面での光の分布がp側及びn側クラッド層それぞれに偏り、メサ脇部分では端面での光の分布がn側に偏っている。メサ部分とメサ脇部分の屈折率差が大きく、キンクが生じる光出力を大きくできる。また外側クラッド層の屈折率がガイド層の屈折率より低いため、層厚方向の光の分布がGaAs基板及びp型コンタクト層にまで及ばず、内部損失を小さくできる。
Claim (excerpt)：
活性層と、この活性層を挟み活性層よりも屈折率の小さなクラッド層からなるダブルヘテロ構造を少なくとも有し、両方のクラッド層が高屈折率の光ガイド層を低屈折率の層が挟んだ3重構造となっており、かつ両脇がクラッド層より低屈折率の電流ブロック層または発振するレーザ光を吸収できるバンドギャップを有する電流ブロック層によって埋め込まれたメサ状のストライプを有することを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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