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J-GLOBAL ID：200903097295683111

レジスト材料及び微細加工方法

Inventor：
河内山 彰

About 河内山 彰

, 
荒谷 勝久

About 荒谷 勝久


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002297893
Publication number (International publication number)：2003315988
Application date： Oct. 10, 2002
Publication date： Nov. 06, 2003
Summary：
【要約】【課題】 電子ビームやイオンビーム等の高価な照射装置を用いることなく、分解能の高い微細加工を実現する。すなわち、既存の露光装置を利用してさらなる極微細加工を実現する。【解決手段】 WやMoのような遷移金属の不完全酸化物を含んでなるレジスト層を選択的に露光し、現像して所定の形状にパターニングする。ここでいう遷移金属の不完全酸化物とは、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より酸素含有量が少ない方向にずれた化合物のこと、すなわち遷移金属の不完全酸化物における酸素の含有量が、上記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さい化合物のことである。
Claim (excerpt)：
遷移金属の不完全酸化物を含むレジスト材料であって、該不完全酸化物は、酸素の含有量が前記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さいものであることを特徴とするレジスト材料。
IPC (3)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (10)：
2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BB03 ,  2H025EA06 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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