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J-GLOBAL ID：200903097297355855

超電導体装置

Inventor： 岩松 誠一
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992156464
Publication number (International publication number)：1994005934
Application date： Jun. 16, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 超電導体を用いたトランジスター、メモリーおよび圧力センサーを提供すること。【構成】 超電導体装置に関し、(1) 超電導体表面に強誘電体を形成すること、および(2) 超電導体表面に正または負の圧力を印加する。超電導体101の表面には、ジルコニュウム・チタン酸鉛やチタン酸バリュウウムなどから成る強誘電体102が形成され、該強誘電体102の表面および該強誘電体102を挟んだ前記超電導体101の両側表面には銀などの金属で、電極103、104および105が形成される。【効果】 高速で動作する超電導体トランジスターやメモリーおよび高感度で動作する超電導体圧力センサーなどを提供することができる。

Claim (excerpt)：

超電導体表面には強誘電体が形成されて成ることを特徴とする超誘電体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-194666
  
• 特開平2-199879
  
• 特開平3-041332
  
• 特開平1-276681