レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999060219
Publication number (International publication number)：2000258924
Application date： Mar. 08, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】無機質基体上に塗布されたレジスト膜、エッチング後に残存するレジストおよびレジスト残渣を短時間で容易に剥離でき、その際、各種半導体層材料、配線材料、絶縁膜等を全く腐食せず、更に、リンス液としてアルコールのような有機溶媒を使用する必要がなく水のみでリンスすることができるレジスト剥離液を提供すること。【解決手段】(a)酸化剤、(b)キレート剤、(c)水溶性フッ素化合物、および必要に応じて(d)有機溶剤を含有する水溶液からなるレジスト剥離液および該剥離液を用いるレジストの剥離方法。

Claim (excerpt)：

(a)酸化剤、(b)キレート剤および(c)水溶性フッ素化合物を含有する水溶液からなるレジスト剥離液。

IPC (8)：

G03F 7/42 , C09K 3/00 108 , C11D 7/60 , H01L 21/027 , C11D 7:18 , C11D 7:34 , C11D 7:32 , C11D 7:26

FI (4)：

G03F 7/42 , C09K 3/00 108 B , C11D 7/60 , H01L 21/30 572 B

F-Term (16)：

2H096AA25 , 2H096CA12 , 2H096HA23 , 2H096LA03 , 2H096LA08 , 4H003BA12 , 4H003DA15 , 4H003DB03 , 4H003DC01 , 4H003EA05 , 4H003EB24 , 4H003ED02 , 4H003EE04 , 4H003FA07 , 4H003FA15 , 5F046MA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

シリコンウェハ洗浄用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-120776 Applicant：関東化学株式会社, 日産化学工業株式会社
半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-094045 Applicant：三菱瓦斯化学株式会社
フォトレジストのストリッピングおよびクリーニング用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-240788 Applicant：オリン・マイクロエレクトロニツク・ケミカルズ・インコーポレイテツド

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