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J-GLOBAL ID：200903097310185050

ダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の成膜方法、および成膜装置

Inventor： 斎藤 信雄 ,  エイ エイチ ジャヤティッサ ,  佐藤 史郎 ,  大西 弘幸
Applicant, Patent owner： 日本放送協会
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997261703
Publication number (International publication number)：1999100295
Application date： Sep. 26, 1997
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 従来のダイヤモンド膜またはDLC膜の成膜方法によれば、良質な膜を再現性よく成膜することはできなかった。【解決手段】 グラファイトターゲット3をレーザ光で照射し、基板7上にダイヤモンド膜またはDLC膜をレーザアブレーション法により成膜する成膜方法ないし成膜装置において、レーザ光としては波長193nmのArFエキシマレーザが使用され、上記グラファイトターゲット3と上記基板7とは相互に6cm以上離間してレーザ照射雰囲気中に配置され、レーザ照射雰囲気中に水素ガスが供給され、そして基板7の温度は、成膜中において400°C以上に保たれるようにした。

Claim (excerpt)：

グラファイトターゲットをレーザ光で照射し、基板上にダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜をレーザアブレーション法により成膜する成膜方法において、前記レーザ光としては、波長193nmのArFエキシマレーザが使用され、前記グラファイトターゲットと前記基板とは相互に6cm以上離間してレーザ照射雰囲気中に配置され、前記レーザ照射雰囲気中には水素ガスが供給され、そして前記基板の温度は、成膜中において400°C以上に保たれることを特徴とするダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の成膜方法。

IPC (4)：

C30B 29/04 ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 23/373

FI (5)：

C30B 29/04 K ,  C30B 29/04 X ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 23/36 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平1-148791
  
• a-DLC-Si膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-300649   Applicant：トヨタ自動車株式会社