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J-GLOBAL ID：200903097310309671

日射遮蔽膜形成用微粒子の製造方法とこの製造方法により得られた微粒子を用いた日射遮蔽膜形成用塗布液

Inventor：
長南 武

About 長南 武

, 
久野 裕子

About 久野 裕子


Applicant, Patent owner：
住友金属鉱山株式会社

About 住友金属鉱山株式会社


Agent (1)： 上田 章三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001060204
Publication number (International publication number)：2002265236
Application date： Mar. 05, 2001
Publication date： Sep. 18, 2002
Summary：
【要約】【課題】 可視光透過率80%以上のときの日射透過率が70%未満でヘイズ値が1%未満である日射遮蔽膜を形成可能な日射遮蔽膜形成用微粒子を従来よりも短時間で製造できる日射遮蔽膜形成用微粒子の製造方法等を提供すること。【解決手段】 この日射遮蔽膜形成用微粒子の製造方法は、平均粒径が100nm以下のインジウム錫酸化物微粒子とタングステン酸化物微粒子またはレニウム酸化物微粒子とを混合し、アルコ-ルを含む不活性ガス雰囲気下または還元性ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で加熱処理することを特徴とし、加熱処理時において錫含有酸化インジウム微粒子に添加された上記タングステン酸化物微粒子またはレニウム酸化物微粒子の触媒作用により従来よりも短時間で日射遮蔽膜形成用微粒子を製造することが可能となる。
Claim (excerpt)：
日射遮蔽膜形成用微粒子の製造方法において、平均粒径が100nm以下のインジウム錫酸化物微粒子とタングステン酸化物微粒子またはレニウム酸化物微粒子とを混合し、アルコ-ルを含む不活性ガス雰囲気下、または、還元性ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で加熱処理することを特徴とする日射遮蔽膜形成用微粒子の製造方法。
IPC (7)：
C03C 17/25 ,  C09D 5/32 ,  C09D 7/12 ,  C09D201/00 ,  G02B 5/26 ,  B05D 7/24 303 ,  C03C 17/32
FI (7)：
C03C 17/25 A ,  C09D 5/32 ,  C09D 7/12 ,  C09D201/00 ,  G02B 5/26 ,  B05D 7/24 303 B ,  C03C 17/32 A
F-Term (56)：
2H048FA04 ,  2H048FA05 ,  2H048FA07 ,  2H048FA12 ,  2H048FA18 ,  4D075BB21Z ,  4D075BB70Z ,  4D075CA18 ,  4D075CA23 ,  4D075CA32 ,  4D075CA40 ,  4D075CA47 ,  4D075CB06 ,  4D075CB40 ,  4D075DA06 ,  4D075DA23 ,  4D075DB13 ,  4D075DB31 ,  4D075DC01 ,  4D075DC11 ,  4D075DC19 ,  4D075DC24 ,  4D075DC38 ,  4D075EA10 ,  4D075EA17 ,  4D075EA19 ,  4D075EB02 ,  4D075EB22 ,  4D075EB33 ,  4D075EB43 ,  4D075EB56 ,  4D075EC02 ,  4D075EC07 ,  4D075EC53 ,  4D075EC54 ,  4D075EC60 ,  4G059AA01 ,  4G059AA04 ,  4G059AA07 ,  4G059AC06 ,  4G059EA01 ,  4G059EA03 ,  4G059EB05 ,  4G059FA15 ,  4G059FA28 ,  4G059FA29 ,  4G059FB05 ,  4J038CG001 ,  4J038DB001 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038DM021 ,  4J038EA011 ,  4J038HA216 ,  4J038KA06 ,  4J038NA19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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