磁場エネルギーを電場エネルギーに変換するための電気回路装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000525963
Publication number (International publication number)：2001527377
Application date： Dec. 08, 1998
Publication date： Dec. 25, 2001
Summary：

【要約】磁場エネルギー(M)を電場エネルギー(E)に変換(W)するための電気回路装置(G)は、少なくとも、磁場エネルギー(M)に対する第1の蓄積要素(L)と、電場エネルギー(E)に対する第2の蓄積要素(C)と、半導体弁要素(D)と、電気的スイッチング要素(S)とを有する。本発明によれば、半導体弁要素(D)の半導体材料は少なくとも2eVの禁制帯(VB)および少なくとも5* 10^5V/cmの降伏電界強度(EK)を有する。半導体弁要素(D)の半導体材料は特に炭化シリコン(SiC)、窒化ガリウム(GaN)またはダイアモンド(Cdia)を含んでいる。半導体弁要素(D)は特に半導体ダイオード、好ましくはショットキーダイオードである。半導体弁要素(D)の本発明によるわずかなダイナミックなスイッチング損失に基づいて、最小の構成部分の大きさを有する電気回路装置(G)が高い作動電圧においても高いスイッチング周波数においても使用可能である。

Claim (excerpt)：

磁場エネルギー(M)に対する第1の蓄積要素(L)と、電場エネルギー(E)に対する第2の蓄積要素(C)と、半導体弁要素(D)と、少なくとも第1および第2のスイッチング状態(S1、S2)を取り得る電気的スイッチング要素(S)とを少なくとも備え、a)これらの要素が、a1)スイッチング要素(S)の第1のスイッチング状態(S1)で磁場エネルギー(M)が第1の蓄積要素(L)のなかに蓄積可能であり、a2)スイッチング要素(S)の第2のスイッチング状態(S2)で磁場エネルギー(M)が第1の蓄積要素(L)から、半導体弁要素(D)を経て導かれて、電場エネルギー(E)に対する第2の蓄積要素(C)のなかに変換可能である(図1)ように互いに接続されている磁場エネルギー(M)を電場エネルギー(E)に変換(W)するための電気回路装置(G)において、b)半導体弁要素(D)が少なくとも2eVの禁制帯(VB)および少なくとも5* 10^5V/cmの降伏電界強度(EK)を有する(図2、図3)ことを特徴とする磁場エネルギーを電場エネルギーに変換するための電気回路装置。

IPC (2)：

H02M 3/155 , H01L 29/872

FI (3)：

H02M 3/155 F , H01L 29/48 D , H01L 29/48 H

F-Term (21)：

4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA10 , 4M104CC03 , 4M104GG03 , 5H730AA10 , 5H730AS01 , 5H730AS04 , 5H730AS05 , 5H730BB13 , 5H730BB14 , 5H730BB23 , 5H730BB51 , 5H730CC01 , 5H730CC05 , 5H730DD04 , 5H730EE02 , 5H730EE07 , 5H730EE08 , 5H730EE10 , 5H730ZZ15

Return to Previous Page