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J-GLOBAL ID：200903097340148311

全反射X線分析装置

Inventor： 田村 太久夫 ,  中野 朝雄 ,  尾形 潔 ,  末永 和文
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995000012
Publication number (International publication number)：1996184572
Application date： Jan. 04, 1995
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【構成】試料ごとに最も解析精度が高くなるようにX線入射角度を決定し、X線入射角度を任意に設定する。また、測定装置を真空排気手段を有する真空容器内に納め、入射角設定機構を真空容器内の真空度を維持しつつ、真空容器外から操作する。【効果】X線の反射率によってX線吸収微細構造を測定する際、試料の種類に応じて最も解析精度の高い反射角を自動的に決定することが可能となり、電子ビーム励起型のX線発生装置を用いた場合でも、短時間で高S/Nで珪素の様な軽元素の測定が可能である。

Claim (excerpt)：

X線源からのX線を、モノクロメータ及び入射X線の検出器に順次入射させ、前記入射X線を試料に所定の角度で入射させ、試料台上の前記試料からの反射X線を反射X線検出器で計測する手段を備え、X線の反射率のエネルギ依存性によってX線吸収微細構造を測定する全反射X線分析装置において、前記試料の種類に応じて、解析精度が最も高くなるように、X線入射角度を自動的に決定する手段を設けていることを特徴とする全反射X線分析装置。