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J-GLOBAL ID：200903097349909463

プラズマ処理リアクタでの一様性プロファイルを制御するための電極設計

Inventor： シアマク・サリミアン ,  カロル・エム・ヘラー ,  ルミン・リ
Applicant, Patent owner： バリアン・アソシエイツ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 竹内 澄夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996163607
Publication number (International publication number)：1997162178
Application date： Jun. 05, 1996
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 大径の基板での非一様なエッチングの問題を低減するための電極設計を提供する。【解決手段】 リアクタでエッチングされる電極に対向して配置した電極が、基板にわたるエッチングの一様性を制御できるような所定の形状にされる。これは、略円錐形状、略ピラミッド形状及び略半球形状の電極を含んだ略ドーム形状の電極によって達成される。エッチングの非一様性は、リアクタの中心部のイオン密度が過剰になる等のために起こると考えられている。ドーム形状の電極は、リアクタの中心部から高イオン濃度を基板の周縁へと分散させ、これにより、エッチングされる基板にわたるイオン密度分布を等しくしている。このよに設計された電極は、二極管プラズマリアクタ、三極管プラズマリアクタ及びICPプラズマリアクタで使用できる。

Claim (excerpt)：

基板のエッチングをするためのRFパワープラズマリアクタであって、前記基板を支持するための第1の電極、及び前記第1の電極に対向して配置される第2の電極、から成り、前記第2の電極が、前記基板にわたってエッチングの一様性を制御できる形状である、ところのRFパワープラズマリアクタ。

IPC (6)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (6)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A