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J-GLOBAL ID：200903097357372053

薄膜トランジスタ

Inventor： 小島 英嗣
Applicant, Patent owner： カシオ計算機株式会社
Agent (1)： 杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992276825
Publication number (International publication number)：1994104438
Application date： Sep. 22, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 オン電流に影響を与えることなく、オフ電流を十分に低減する。【構成】 チャネル領域3は、n型不純物が高濃度に含有された4個の不純物含有多結晶シリコン部3aと5個の真性多結晶シリコン部3bとを両外側が真性多結晶シリコン部3bとなるようにチャネル長さ方向に交互に配列した構造となっている。そして、オン状態の場合には、不純物含有多結晶シリコン部3aが抵抗0の良導体を構成するので、4個の真性多結晶シリコン部3bの長さの和を従来の素子のチャネル領域の長さと同じとすると、従来の素子と同等のオン電流が流れることになる。一方、オフ状態の場合には、互いに隣接する真性多結晶シリコン部3bと不純物含有多結晶シリコン部3aとの界面近傍にもpn接合が形成されるので、オフ電流としては従来の素子に1/5のドレイン電圧を印加したときの電流しか流れないことになる。

Claim (excerpt)：

チャネル領域を、一導電型の不純物が高濃度に含有されたN又はN+1個の不純物含有多結晶シリコン部とN+1又はN個の真性多結晶シリコン部とを両外側が真性多結晶シリコン部又は不純物含有多結晶シリコン部となるようにチャネル長さ方向に交互に配列して構成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-259572
  
• 特開平3-074880
  
• 特開平1-218070