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J-GLOBAL ID：200903097366408583

ポジ型レジスト組成物およびそれに用いる酸解離性基含有モノマー

Inventor： 羽田 英夫 ,  岩井 武 ,  藤村 悟史 ,  片島 美和
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999343432
Publication number (International publication number)：2000235263
Application date： Dec. 02, 1999
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 感度、解像性、電子線耐性および断面形状に優れるパターンを安価に形成するArF用ポジ型レジスト組成物および酸解離性基含有モノマーの提供。【解決手段】 (A)下記単位の重合体および(B)酸発生剤を含む組成物。【化1】

Claim (excerpt)：

(A)少なくとも次の一般式(I)で表される単位を含む重合体および(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を含有してなるポジ型レジスト組成物。【化1】(式中Rは水素原子または低級アルキル基を示し、R1は炭素数2以上のアルキル基を示し、nは0または1である)

IPC (7)：

G03F 7/039 601 ,  C07C 69/753 ,  C08F222/06 ,  C08F232/00 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  H01L 21/027

FI (7)：

G03F 7/039 601 ,  C07C 69/753 C ,  C08F222/06 ,  C08F232/00 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパタ-ン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-128044   Applicant：信越化学工業株式会社
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-320105   Applicant：富士通株式会社
• レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-302909   Applicant：信越化学工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-098796   Applicant：東京応化工業株式会社