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J-GLOBAL ID：200903097371700594

X線多層膜反射鏡の製造方法

Inventor： 村上 勝彦 ,  大谷 正之
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991256695
Publication number (International publication number)：1993126999
Application date： Oct. 03, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 高反射率の多層膜反射鏡の製造方法を提供する。【構成】 X線多層膜反射鏡を高周波マグネトロンスパッタ法で製造する際の成膜条件を設定した。この条件は、基板4とターゲット間が 100〜200mm、アルゴンガス圧力が1〜5 mTorr、印加する高周波電力がターゲットの単位面積あたり1.7〜2.8W/cm2、基板温度が室温〜100°C、成膜中連続して高周波電力を印加する、各ターゲット1a,1bにシャッタ3a,3bを設けて一方のターゲット物質の成膜中はそのターゲットのシャッタのみ開ける、基板4をターゲットに対向して一定速度で複数回通過させて一つの薄膜層を形成させる、というものである。

Claim (excerpt)：

モリブデンとシリコンを交互に積層してなるX線多層膜反射鏡の製造方法において、高周波マグネトロンスパッタ法により、以下の(a)ないし(g)の条件下で成膜を行うことを特徴とするX線多層膜反射鏡の製造方法。(a)基板とターゲット間の距離が、 100〜200 mmの範囲であること。(b)アルゴンガス圧力が、1〜5 mTorrの範囲であること。(c)前記ターゲットに印加する高周波電力が、該ターゲットの単位面積あたり1.7〜2.8W/cm2の範囲であること。(d)基板温度が、室温ないし100°C以下の温度に保たれていること。(e)前記モリブデンとシリコンのターゲットに、多層膜の成膜中それぞれ連続して高周波電力を印加し続けること。(f)それぞれのターゲットの正面に各々シャッタを設け、一方のターゲット物質の成膜を行うときはこのターゲットのシャッタを開き、他方のターゲットのシャッタを閉じること。(g)前記基板をターゲットの正面のスパッタされた原子の飛来する領域で、該ターゲットに対向して一定速度で複数回通過させることにより、一つの薄膜層を形成させること。

IPC (3)：

G21K 1/06 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34