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J-GLOBAL ID：200903097372106130

磁束量子フロー素子

Inventor： 宮原 一紀 ,  狩元 慎一 ,  ▲つる▼ 浩二 ,  鈴木 実
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995203694
Publication number (International publication number)：1997051129
Application date： Aug. 09, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 制御電流供給線が発生する磁界と磁束量子フロー素子のチャネルとの磁気的結合度の低さを改善し、大きな増幅作用を実現した磁束量子フロー素子を提供すること。【解決手段】 基板10上に、超伝導性の弱い層1と超伝導性の強い層1′を交互に積層してなる高温超伝導体の薄膜8をパターニングしてデバイスパターン9を形成し、この超伝導薄膜を表面からある深さまでメサ状エッチングした溝7を設ける。層1は磁束量子Qが走行してその両端にフロー電圧が誘起されるチャネルである。チャネルに対して平面的には重なる状態でバイアス電流供給線2を設けるとともに、電気的に絶縁する層間絶縁層6を介して制御電流供給線3を設ける。磁束量子Qは基板10の面に平行なチャネル1の中をフローする。

Claim (excerpt)：

高温超伝導薄膜からなる磁束量子走行領域と、該領域に接続されたバイアス電流供給線と、該領域の近傍に設けられた磁束量子の密度を制御する制御電流供給線とを有し、前記磁束量子走行領域を走行する磁束量子の軸が磁束量子走行領域を構成する高温超伝導薄膜の下地となる基板の基板面にほぼ平行であることを特徴とする磁束量子フロー素子。