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J-GLOBAL ID：200903097372130864

半導体装置

Inventor： 鉾 本 吉 孝
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (6)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  高橋 佳大
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003024284
Publication number (International publication number)：2004006647
Application date： Jan. 31, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】電界効果トランジスタの順バイアス時におけるオン抵抗を小さく抑制しながら、半導体基板中のドリフト層の比抵抗を高めてショットキーバリアダイオード領域における垂直方向の電界を緩和し、逆方向耐圧を向上させることが可能な構成の半導体装置を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、同一半導体基板内に電界効果トランジスタ及びショットキーバリアダイオードを搭載した半導体装置が、ショットキーバリアダイオード領域における第一導電型のドリフト層中の所定の深さに所定のピッチで埋め込まれた第二導電型の埋込ドープ層を備えているものである。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

同一半導体基板内に電界効果トランジスタ及びショットキーバリアダイオードを搭載した半導体装置であって、ショットキーバリアダイオード領域における第一導電型のドリフト層中の所定の深さに所定のピッチで埋め込まれた第二導電型の埋込ドープ層を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

FI (7)：

H01L29/78 657D ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/48 F ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/08 102C

F-Term (18)：

4M104CC05 ,  4M104FF01 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  4M104HH18 ,  5F048AA05 ,  5F048AB10 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BB19 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BD09 ,  5F048CB07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-140546   Applicant：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
• DC-DCコンバータ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-290687   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開平1-310576