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J-GLOBAL ID：200903097401981755

高周波高出力電界効果トランジスタ

Inventor： 勝枝 嶺雄 ,  吉田 功 ,  永田 ▲穣▼
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993017259
Publication number (International publication number)：1994232396
Application date： Feb. 04, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 全面積を増大させることなくソース抵抗成分を低減し、更に、ソースインダクタンスの極めて小さいパワーMOSFETの構成。【構成】 第1導電型高濃度半導体基板6の上に成長された第1導電型低濃度層7に形成されたソース層10、ドレイン層12、およびゲート11より成り、複数のゲートおよびドレインはそれぞれゲート端子1およびドレイン端子2に接続される。導通拡散層8はパワーMOSFETが形成される領域におけるソース層10から分離し、所要の抵抗値に相当する面積に成形し、金属配線によって接続する。【効果】 MOSFETの形成と導通拡散層の形成を独立に行うことができ、マイクロ波パワーMOSFETの全面積を増大させることなく導通拡散層のインダクタンスおよび抵抗成分を小さくすることができる。

Claim (excerpt)：

導電性基板あるいは第1導電型高濃度半導体基板の上に形成された第1導電型低濃度層の一部に形成された第2導電型層を少なくともソース層とする電界効果トランジスタと上記第1導電型低濃度層に形成された第1導電型高濃度層より成り、上記第1導電型高濃度層を上記導電性基板あるいは上記第1導電型半導体基板に接続して成り、更に上記第1導電型高濃度層を上記ソース層と導電性配線によって接続して成る、少なくとも上記導電性基板あるいは上記第1導電型半導体基板をソース端子とする高周波高出力電界効果トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭49-017978
  
• 特開昭57-088773