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J-GLOBAL ID：200903097402482990

窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 古 川 千 里 ,  石 川 正 行 ,  菅 原 秀 人 ,  鈴 木 伸 洋
Applicant, Patent owner： 東芝電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997179489
Publication number (International publication number)：1999026883
Application date： Jul. 04, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高い効率で電流狭窄と光の閉じこめとが実現できる窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板上に形成された絶縁膜の開口の部分に選択的に、バッファ層と活性層とを成長し、さらに全体を埋め込み成長により平坦化することによって、プレーナ型の内部ストライプ構造を実現し、選択成長に伴う、活性層の層厚分布を利用して、活性層内部に屈折率の分布を設け、光を高効率で閉じこめることができるようにできる。また、絶縁膜によって、高効率で電流を閉じこめることもできるようになり、発光強度が高く、発振しきい値が低く、短波長化が可能とすることができる。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成された所定の開口を有する絶縁膜と、前記所定の開口の部分に選択的に成長され、その層厚が前記開口の中央部付近で薄く、端部において厚い層厚分布を有する窒化ガリウム系半導体バッファ層と、前記バッファ層の上に選択的に成長され、その層厚が、前記開口の中央部付近で厚く、端部において薄い層厚分布を有する窒化ガリウム系半導体活性層と、前記絶縁膜と前記活性層との上に成長され、前記活性層を埋め込んでいる窒化ガリウム系半導体埋め込み層と、を備えたことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開昭57-211791
  
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-031684   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-041921   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭62-045088
  

Cited by examiner (1)

• 特開昭57-211791