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J-GLOBAL ID:200903097406170330

接続部の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998065842
Publication number (International publication number):1999265934
Application date: Mar. 16, 1998
Publication date: Sep. 28, 1999
Summary:
【要約】【課題】 絶縁膜を貫通する接続孔の内壁及び底面と、絶縁膜上に積層されるバリアメタル膜の膜厚が等しくなるように、必要以上に厚く積層される絶縁膜上のバリアメタル膜の膜厚、接続孔の底面上に積層されるバリアメタル膜の膜厚を低減する。これによって配線抵抗を小さく抑制する。【解決手段】 絶縁膜を貫通する接続孔を開口後、スパッタリング法によってバリアメタル膜を積層し、その後、例えばECRエッチングを行うことによって絶縁膜上、接続孔の底面に積層されたバリアメタル膜の膜厚を低減し、接続孔の内壁に積層されるバリアメタル膜の膜厚に近づける。
Claim (excerpt):
基板上若しくは上記基板上の第一の金属配線上に積層された絶縁膜を貫通する接続孔を開口する工程、上記接続孔の内壁及び底面に、第一のバリアメタル膜を積層するとともに、上記絶縁膜の上面に第二のバリアメタル膜を積層する工程、上記第一、第二のバリアメタル膜に対してエッチングを行い、上記接続孔の底面に位置する上記第一のバリアメタル膜及び上記第二のバリアメタル膜の膜厚を低減する工程、上記絶縁膜上に金属膜を積層するとともに上記金属膜によって上記接続孔を埋設し、接続部を得る工程、上記金属膜及び上記第二のバリアメタル膜に対してパターニングを行い、第二の金属配線を得る工程を含み、上記エッチングによって上記接続孔の底面に位置する上記第一のバリアメタル膜及び上記第二のバリアメタル膜の膜厚を、上記接続孔の内壁に積層される上記第一のバリアメタル膜の膜厚に近づけることを特徴とする接続部の形成方法。
IPC (2):
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301
FI (2):
H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 301 R

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