Pat

J-GLOBAL ID：200903097409837785

半導体装置

Inventor： 小林 節子 ,  四戸 孝 ,  大橋 弘通
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998072640
Publication number (International publication number)：1999274482
Application date： Mar. 20, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】コンパクトであり且つ、高スイッチング速度、低損失なスイッチング素子とダイオードを組み合わせた半導体装置を提供する。【解決手段】制御端子により電流を制御することのできるスイッチング素子1を2個以上直列に接続した場合、この複数のスイッチング素子1からなるスイッチング素子群に対して1個のダイオード2を並列に接続し、ダイオード2の材料として、SiC等のSiよりバンドギャップの広い半導体材料を用いる。

Claim (excerpt)：

直列に接続され、制御端子により電流を制御することのできる複数のスイッチング素子からなるスイッチング素子群と、前記スイッチング素子群に対して並列に接続されたSiよりバンドギャップの広い半導体により形成されたダイオードとを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/861

FI (8)：

H01L 29/78 657 A ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/74 P ,  H01L 29/74 A ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/91 F