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J-GLOBAL ID：200903097426322195
半導体製造装置のクリーニング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992126403
Publication number (International publication number)：1993326471
Application date： May. 19, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 パーティクル汚染を効果的に回避する。【構成】 ウェハチャンバ7内のクリーニングを、ウェハホルダ8にウェハ20を配置して行う。
Claim (excerpt)：
ウェハチャンバ内に気体導入と強制排気とを行ってウェハチャンバ内のクリーニング作業を行う半導体製造装置のクリーニング方法において、上記クリーニング作業を、上記ウェハチャンバ内のウェハホルダに、ウェハを装着させた状態で行うことを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。
IPC (3)：
H01L 21/304 341
, H01J 37/317
, H01L 21/265
