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J-GLOBAL ID：200903097451562435

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 羽賀 孝裕 ,  海道 佳典 ,  安田 孝慶
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994020401
Publication number (International publication number)：1995231015
Application date： Feb. 17, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：

【要約】【構成】 半導体装置の出力端子130a、130c上に固着された金属箔150a、150cと、前記金属箔150a、150c上の一部に開口21a、21cを有し、前記金属箔150a、150cの外周部上を含んで前記半導体装置の表面を被う保護膜20とを有することを特徴とする。【効果】 保護膜が、金属箔を押さえ付けるように働き金属箔の接続強度が大きくなると共に、金属箔の外周部より、水分が半導体装置内部に進入することがない。

Claim (excerpt)：

半導体装置の出力端子上に固着された金属箔と、前記金属箔上の一部に開口を有し、前記金属箔の外周部上を含んで前記半導体装置の表面を被う保護膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/60 321 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 31/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-136331
  
• 特開平2-003943
  
• 特開平2-156646