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J-GLOBAL ID：200903097463282055

半導体レーザ装置

Inventor： 別所 靖之 ,  井上 泰明 ,  水口 公秀
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993007011
Publication number (International publication number)：1994216468
Application date： Jan. 19, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 複数の各半導体レーザ素子の出力光の制御を独立して行え、その組み立て作業が容易である半導体レーザ装置を提供する。【構成】 マルチビームレーザチップ1の各半導体レーザ素子2にその一部を欠損させた状態で電極3を形成し、ヒートシンク4にはフォトダイオード5を形成しておき((a))、この電極3の欠損部にフォトダイオード5が対向するように、マルチビームレーザチップ1をヒートシンク4上にボンディングする((b))。

Claim (excerpt)：

複数の半導体レーザ素子を並設させてなるマルチビームレーザチップをヒートシンクに装着させた半導体レーザ装置において、前記マルチビームレーザチップの各半導体レーザ素子はその光導波路上の一部の電極が除去されており、前記ヒートシンクには各半導体レーザ素子に対応させて、各半導体レーザ素子からのレーザ光が入射するように、複数のフォトダイオードが設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 31/12 ,  H01L 31/10