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J-GLOBAL ID：200903097476364670

半導体製造装置

Inventor： 遠目塚 幸二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (1)： 三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000060213
Publication number (International publication number)：2001250781
Application date： Mar. 06, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】前記ウェーハ表面に吸着された水分を加熱により脱離すると共に加熱されたウェーハを直ちにプロセス処理し、品質を高めると共にスループットを向上させ、生産性を高める。【解決手段】プロセスチャンバ1と前処理チャンバ29とが気密室19を介して連結され、複数の被処理基板13は前記前処理チャンバ内で所要状態に保持された後、気密室を経て前記プロセスチャンバに挿入される様構成された。

Claim (excerpt)：

プロセスチャンバと前処理チャンバとが気密室を介して連結され、複数の被処理基板は前記前処理チャンバ内で所要状態に保持された後、前記気密室を経て前記プロセスチャンバに挿入される様構成されたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/02 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/3065

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/02 Z ,  H01L 21/22 511 Q ,  H01L 21/302 N

F-Term (47)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BD01 ,  4K029FA04 ,  4K029FA09 ,  4K029KA01 ,  5F004AA14 ,  5F004BA01 ,  5F004BA19 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004CA09 ,  5F004EA28 ,  5F004EA34 ,  5F045AA03 ,  5F045AA20 ,  5F045AC15 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE02 ,  5F045AE03 ,  5F045AE05 ,  5F045AE07 ,  5F045AE09 ,  5F045AE11 ,  5F045AE13 ,  5F045AF03 ,  5F045BB04 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045EB08 ,  5F045HA06 ,  5F045HA24