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J-GLOBAL ID：200903097484324084
パワー半導体デバイス用温度センサとその製法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993015943
Publication number (International publication number)：1993259463
Application date： Jan. 05, 1993
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高い感度の温度センサを付加的な製造工程なしにパワー半導体デバイスのパワー半導体構造と共通の工程で、簡単かつ場所を取ることなく経済的に製造することのできる、モノリシックに集積可能の温度センサ及びその製造方法を提供する。【構成】 パワー半導体構造が多数のパワーセルLZ1、LZ2...からなりまた温度センサがパワーセルと同時に製造することのできる2つのセンサセルSZ1、SZ2から構成される。
Claim (excerpt)：
垂直なパワー半導体構造(LH)と共に半導体基体(H)上にモノリシックに集積されている温度センサ(TSENS)において、パワー半導体構造がエミッタ端子(E)、コレクタ端子(C)及びゲート端子(G)を有しておりまた多数のパワーセル(LZ1、LZ2...)を備えており、温度センサがこの多数のパワーセル(LZ1、LZ2...)と共に製造可能である2つのセンサセル(SZ1、SZ2)からなることを特徴とする半導体基体上にモノリシックに集積可能の温度センサ。
IPC (3)：
H01L 29/784
, G01K 1/14
, G01K 7/00 391
H01L 29/78 321 T
, H01L 29/78 301 K
