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J-GLOBAL ID：200903097484823269

メモリ素子及びその製造方法

Inventor： 安達 日出夫
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991187686
Publication number (International publication number)：1993036931
Application date： Jul. 26, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、高誘電率,非強誘電性,誘電率の温度特性が良いキャパシタ材料を有したメモリ素子及びその製法を提供することを主要な目的とする。【構成】メモリセル内に含まれるキャパシタ部に電荷を蓄積,消去を行うことによって、情報の書き込み、読み出しを行うメモリ素子において、キャパシタを構成する材料が下記式で表わされることを特徴とするメモリ素子及びその製法。(Sr1-x-y Cax May )(Tiz-w Mbw )O3但し、x=0〜0.2、y=0.001〜0.01Ma=La,Bi,Sb,Y,ランタン族元素の内の一種Mb=Nb,V,Ta,Mo,Wの内の一種

Claim (excerpt)：

メモリセル内に含まれるキャパシタ部に電荷を蓄積,消去を行うことによって、情報の書き込み、読み出しを行うメモリ素子において、キャパシタを構成する材料が下記式で表わされることを特徴とするメモリ素子。(Sr1-x-y Cax May )(Tiz-w Mbw )O3但し、x=0〜0.2、y=0.001〜0.01Ma=La,Bi,Sb,Y,ランタン族元素の内の一種Mb=Nb,V,Ta,Mo,Wの内の一種

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04

FI (2)：

H01L 27/10 325 K ,  H01L 27/10 325 M