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J-GLOBAL ID：200903097486822359

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法

Inventor：
古畑 直規

About 古畑 直規


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999126123
Publication number (International publication number)：2000323491
Application date： May. 06, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、高いデバイス特性を維持しつつ、しかも高信頼性動作が可能なデバイス構造と製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板10上に、III-V族化合物半導体で形成されたn型コレクタ層12、p型ベース層13、このp型ベース層13より禁制帯幅が大きいn型エミッタ層14を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、p型ベース層13に、III族またはV族のいずれにも該当しない原子から構成される不純物であって、p型ベース層13構成する原子よりも、原子半径が大きい不純物と小さい不純物がドーピングされているヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、III-V族化合物半導体膜からなるn型コレクタ層、p型ベース層、該p型ベース層より禁制帯幅が大きいn型エミッタ層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記p型ベース層のp型ドーパントとして、III族またはV族のいずれにも該当しない原子から構成される不純物であって、前記p型ベース層を構成する原子よりも、原子半径が大きい不純物と小さい不純物がドーピングされていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205
FI (2)：
H01L 29/72 ,  H01L 29/205
F-Term (12)：
5F003AP00 ,  5F003BA92 ,  5F003BF06 ,  5F003BH07 ,  5F003BH08 ,  5F003BM03 ,  5F003BP08 ,  5F003BP11 ,  5F003BP12 ,  5F003BP32 ,  5F003BP95 ,  5F003BS08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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