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J-GLOBAL ID:200903097488922768
磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリ
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002119830
Publication number (International publication number):2003318462
Application date: Apr. 22, 2002
Publication date: Nov. 07, 2003
Summary:
【要約】【課題】 反強磁性層、固定磁性層、非磁性層および自由磁性層を含む磁気抵抗効果素子(MR素子)において、素子の小型化などを行った場合でも良好な軟磁気特性を保ち、かつ高温の製造プロセスに対応した耐熱性のあるMR素子を提供する。また、高感度、高出力の磁気ヘッドおよび高密度な磁気メモリ(MRAM)を提供する。【解決手段】 反強磁性層、固定磁性層、非磁性層および自由磁性層を含む多層膜ユニットの少なくとも一方の面に対して、Ni-Fe-X合金層を積層することで、自由磁性層の軟磁気特性の劣化を抑えた、耐熱性のあるMR素子を提供することができる。また、上記MR素子を用いることで、高感度、高出力の磁気ヘッドおよび高密度なMRAMを提供することができる。
Claim (excerpt):
反強磁性層と、前記反強磁性層と磁気的に結合した固定磁性層と、非磁性層と、前記固定磁性層よりも磁化方向が相対的に回転しやすい自由磁性層とを含む多層膜ユニットが基板上に形成され、前記非磁性層を介して前記固定磁性層と前記自由磁性層とが積層された構造を含む磁気抵抗効果素子であって、前記多層膜ユニットの少なくとも一方の面に、Ni-Fe-X合金層を積層した構造を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。ただし、Xは、Cr、V、Nb、Pt、Pd、Rh、Ru、Ir、CuおよびAuから選ばれる少なくとも1種の元素である。
IPC (5):
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/14
, H01F 10/32
, H01L 27/105
FI (6):
H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 H
, G11B 5/39
, H01F 10/14
, H01F 10/32
, H01L 27/10 447
F-Term (22):
5D034AA03
, 5D034BA02
, 5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034CA04
, 5D034CA08
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AA09
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5E049DB12
, 5E049FC03
, 5E049GC01
, 5F083FZ10
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083NA08
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