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J-GLOBAL ID：200903097494391219

炭化ケイ素の気相結晶成長装置

Inventor： 大野 俊之 ,  岩崎 貴之 ,  八尾 勉
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996193240
Publication number (International publication number)：1998036194
Application date： Jul. 23, 1996
Publication date： Feb. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】低欠陥、低不純物な炭化ケイ素単結晶を高効率にエピタキシャル成長させることを目的とした気相成長装置である。【解決手段】結晶成長基板を高周波誘導加熱する加熱手段を有する炭化ケイ素の気相結晶成長装置において、第1の反応管12の内側に遠赤外線および赤外線を遮蔽する第2の反応管21と、前記第2の反応管の内側に高周波誘導加熱により発熱する材料で構成された第3の反応管23と、前記第3の反応管の内側に前記結晶成長基板を設置する設置手段15を備えた炭化ケイ素の気相結晶成長装置。

Claim (excerpt)：

結晶成長基板を高周波誘導加熱する加熱手段を有する炭化ケイ素の気相結晶成長装置において、第1の反応管の内側に遠赤外線および赤外線を遮蔽する第2の反応管と、前記第2の反応管の内側に高周波誘導加熱により発熱する材料で構成された第3の反応管と、前記第3の反応管の内側に前記結晶成長基板を設置する設置手段を備えたことを特徴とする炭化ケイ素の気相結晶成長装置。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C30B 29/36 A ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205