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J-GLOBAL ID：200903097495331244

クロック同期型半導体記憶装置およびそのアクセス方法

Inventor： 戸田 春希 ,  渡辺 裕待 ,  久山 均 ,  斉藤 昇三
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992341907
Publication number (International publication number)：1994084351
Application date： Dec. 22, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 高速かつ頻繁な列アドレス指定の変化に対応できる装置およびアクセス方法の提供。【構成】 2つのブロックに分割されたメモリセルで、一方のブロックがアクセス動作状態のとき他方はアクセス動作準備状態又はアクセス動作待機状態に設定される。あるブロックがアクセス指定されたとき、それがアクセス動作状態であればアクセス動作準備状態を経てアクセス動作状態に、そのブロックがアクセス動作準備状態またはアクセス動作待機状態であれば直ちにアクセス動作状態に設定する。アクセス動作状態に設定するブロックの指定は、アドレスデータの所定のビットで行い、入出力バッファ5,6によりレジスタおよび外部とのデータのやり取りを行い、スクランブラー制御回路1によりデータアクセス開始の先頭アドレスが与えられるとスクランブル回路2a〜2dの選択順位を所定の順序で設定する。

Claim (excerpt)：

行列状に配置された複数のメモリセルから構成され、前記メモリセルは少なくとも2つ以上のブロックに分割されており、該ブロック内のメモリセルのアクセスは外部から入力されるアドレスデータにより指定され、該メモリセルとのアクセスは外部から供給されるクロック信号に同期して実行されるクロック同期型半導体記憶装置において、一方のブロックがアクセス動作状態のとき、他方のブロックはアクセス動作準備状態もしくはアクセス動作待機状態に設定され、あるブロックが前記アドレスデータによりアクセス指定されたとき、該ブロックがアクセス動作状態であればアクセス動作準備状態を経てアクセス動作状態に設定され、もしくはあるブロックが該アドレスデータによりアクセス指定されたとき、該ブロックがアクセス動作準備状態またはアクセス動作待機状態であれば直ちにアクセス動作状態に設定され、アクセス対象となる前記ブロック内のメモリセルの指定は、外部から入力されるブロックを指定するアドレスデータを用いて指定されることを特徴とするクロック同期型半導体記憶装置のアクセス方法。