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J-GLOBAL ID：200903097505988131

ドライエッチング方法およびドライエッチング装置

Inventor： 西尾 幹夫 ,  久保田 正文
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992109667
Publication number (International publication number)：1993304122
Application date： Apr. 28, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】 真空領域でHFガスに曝すことで表面の自然酸化膜14を除去した後、連続的に、高いエッチング選択性をもったエッチング条件で、ポリシリコン膜13をエッチングする。【効果】 ポリシリコン膜13が膜減りせず完全に自然酸化膜14を除去できるため、高いエッチング選択性をもったエッチングだけでポリシリコン膜13がエッチングでき、しかも制御性のよい安定なエッチングができる。

Claim (excerpt)：

真空反応室内に基板を設置し真空排気する工程と、前記基板を第1の温度にする工程と、前記反応室内にフッ化水素ガスを導入する工程と、前記反応室内のガス圧力を第1の圧力にする工程と、所望の時間状態を保持する工程と、前記フッ化水素ガスの供給を止め前記反応室内を真空にする工程と、前記基板を酸素ガスあるいは酸素を含むガスに曝すことなく、前記基板を第2の温度にする工程と、前記反応室内にハロゲン系原子を含む反応性ガスを導入する工程と、前記反応室内のガス圧力を第2の圧力にする工程と、前記反応性ガスのプラズマを生成する工程により、前記基板をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00