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J-GLOBAL ID：200903097508445198
強誘電体不揮発性メモリ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
古谷 栄男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992016496
Publication number (International publication number)：1994089980
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：
【要約】【目的】セル面積を小さくでき、製造が容易で、製造コストを低くすることができる強誘電体不揮発性メモリを提供する。【構成】強誘電体不揮発性メモリ21は、Pウェル2内に、ドレイン3、ソース4、オフセット領域20aおよびチャネル形成領域10b,10cを備えている。オフセット領域20aおよびチャネル形成領域10bは、強誘電体膜6で覆われており、オフセット領域20aの上部には、絶縁性サイドウォール23が設けられている。チャネル形成領域10cは、絶縁膜8で覆われており、絶縁膜8の上には、ドレインゲート電極9が設けられている。
Claim (excerpt)：
A)a1)第1領域と、a2)第1領域との間に電路形成可能領域を形成するように設けられた第2領域と、a3)電路形成可能領域を覆う強誘電体膜と、a4)強誘電体膜上に設けられ強誘電体膜内部に保持された電荷を分極させるための分極用制御電極とを有する記憶素子、B)第1領域に接続された第1スイッチング素子、C)第2領域に接続された第2スイッチング素子、を備えた強誘電体不揮発性メモリにおいて、D)分極用制御電極の第1領域側の側壁と隣接するとともに強誘電体膜上に位置する絶縁性側壁を設けることにより、第1スイッチング素子を形成したこと、を特徴とする強誘電体不揮発性メモリ。
IPC (3)：
H01L 27/10 451
, H01L 29/788
, H01L 29/792
