Pat

J-GLOBAL ID：200903097509597285

ガス処理装置および半導体装置の製造方法

Inventor： 照山 弘毅 ,  米川 守 ,  中尾 一博
Applicant, Patent owner： 株式会社ルネサステクノロジ
Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002153528
Publication number (International publication number)：2003347218
Application date： May. 28, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】 シリコン酸化膜のウエハ面内膜厚均一性を向上する。【解決手段】 HDPCVD装置10の筐体11の側壁には円形リング形状の第一ガス供給路23と第二ガス供給路24が同心円に敷設され、両ガス供給路23と24には第一グループのガスインジェクタノズル25と第二グループのガスインジェクタノズル26が、周方向に等間隔で交互に配置されて略45度斜め上方の内向き放射状に突設されている。第一ガス供給路23と第二ガス供給路24には方向制御弁29の第一サブライン27と第二サブライン28が接続され、方向制御弁29のメインライン30は処理ガス供給装置31に接続されている。【効果】 方向制御弁の切換作動で処理ガスが第一ガスインジェクタノズルと第二ガスインジェクタノズルとから交互に吹き出されることにより、シリコン酸化膜の面内膜厚分布が全体にわたって略均一になる。

Claim (excerpt)：

複数本のガスインジェクタノズルが複数本ずつの複数のグループに組分けされており、処理ガスを吹き出すガスインジェクタノズルのグループが交互に切り換えられることを特徴とするガス処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

FI (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

F-Term (17)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA44 ,  4K030EA01 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045BB02 ,  5F045CB05 ,  5F045DP04 ,  5F045DP05 ,  5F045EF02 ,  5F045EF08