Pat

J-GLOBAL ID：200903097519938609

芳香族炭素源を用いて製造されたアモルフアス炭化ケイ素合金

Inventor： ダブリユ.エイ. ネビン ,  山岸 英雄 ,  太和田 善久
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 蔦田 璋子 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991164706
Publication number (International publication number)：1993009737
Application date： Jul. 04, 1991
Publication date： Jan. 19, 1993
Summary：

【要約】【構成】 芳香族炭素を含む炭素源を用いて製造されたことを特徴とするa-SiC。【効果】 本発明はアモルファス炭化ケイ素合金に使用可能な炭素含量ならびに光学バンドギャップの範囲を拡大するものである。それは太陽電池、光センサ-、エレクトロルミニセンス装置をはじめとする多種の光電子装置に応用可能なものである。また、それは無機半導体としての作用と有機半導体としての作用を示し、また有機半導体と同様な方法で電子受容体による分子ド-ピングが可能だという特殊な性質をもっている。

Claim (excerpt)：

芳香族炭素を含む炭素源を用いて製造されたことを特徴とするa-SiC。

IPC (4)：

C23C 16/32 ,  C01B 31/36 ,  C22C 29/00 ,  C22C 45/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特公昭62-032157
  
• 特公昭61-061384
  
• 特開昭60-067901
  
• 特開昭63-014871