フォトダイオードおよびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994026198
Publication number (International publication number)：1995007174
Application date： Jan. 28, 1994
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】順バイアス状態および逆バイアス状態の双方において十分な明電流/暗電流の比が得られるフォトダイオードおよびその製造方法を提供する。【構成】フォトダイオードは、ガラス基板と、前記基板上に下部電極として形成されたアルミニウム膜と、このアルミニウム膜上にショットキ・バリアとして形成されたアルミナ膜と、このアルミナ膜の一部分上に光導電層として形成された水素化アモルファス・シリコン膜と、この水素化アモルファス・シリコン膜上に上部電極として形成された透明導電膜とを含む。

Claim (excerpt)：

ガラス基板と;このガラス基板の中央部上に下部電極として形成されたクロム膜と;前記ガラス基板上に、前記クロム膜を十分に覆うよう、光導電層として形成された水素化アモルファス・シリコン膜と;前記クロム膜と前記水素化アモルファス・シリコン膜との間の境界に、ショットキ・バリア用に形成されたクロム・シリサイド膜と;水素化アモルファス・シリコン膜上に形成された透明導電膜とを備えたフォトダイオード。

IPC (4)：

H01L 31/108 , C23C 14/34 , C23F 4/00 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (19)

特開昭60-210885
特開昭64-000775
特開平2-022874

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