半導体装置とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾川秀昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993253836
Publication number (International publication number)：1995086204
Application date： Sep. 14, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】コンタクトホール3が形成された層間膜2を有し、該コンタクトホール3を導電材4により埋め込んだ半導体装置とその製造方法において、コンタクトホール3を埋める導電材4に鬆5ができてアルミニウムスパイクが発生する虞れをなくす。【構成】コンタクトホール3の内側面に絶縁材料からなるサイドウォール9を形成し、該サイドウォール9内に上記導電材4を埋め込む。

Claim (excerpt)：

層間膜にコンタクトホールを有し、該コンタクトホールに導電材を埋め込んでなる半導体装置において、上記コンタクトホールの内側面に絶縁材料からなるサイドウォールを形成し、上記サイドウォール内に上記導電材を埋め込んでなることを特徴とする半導体装置

IPC (2)：

H01L 21/28 , H01L 21/768

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (17)

特開昭59-066170
特開平4-091430
多層配線構造の半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-313798 Applicant：ソニー株式会社

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