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J-GLOBAL ID：200903097536599311

薄膜トランジスタ

Inventor： 中村 毅
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993191371
Publication number (International publication number)：1994163903
Application date： May. 02, 1986
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 自己整合型の薄膜トランジスタの製造に際し、工程を低減し、製造を容易にすることを目的とする。【構成】 本発明ではソ-スおよびドレイン領域に対応する部分のアモルファスシリコンi層上に形成される接触層であるド-プされたアモルファスシリコン層の内縁がこれらの間に介在せしめられた上部絶縁膜によって規定され、ソ-スおよびドレイン領域の内方の端縁とゲ-ト電極の端縁とが一致するように形成されたスタガ構造の薄膜トランジスタにおいて、前記ドープされたアモルファスシリコン層と金属層との界面反応で形成した金属拡散層を電極層として用い、ソ-ス、ドレイン電極は、上部絶縁膜との間に隙間を形成するように小さめにパタ-ニングされていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板表面に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の上層に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上層に形成されたアモルファスシリコン層と、この上層で前記ゲート電極と符合する位置に形成された上部絶縁膜と、前記上部絶縁膜の端縁に、端縁が接触するように前記アモルファスシリコン層の上層に形成された高濃度にドープされたアモルファスシリコン層と、前記アモルファスシリコン層上に積層された低抵抗層と、前記低抵抗層の上層に、前記チャネル絶縁膜の端縁から離間して設けられた金属層からなるソース・ドレイン電極とを具備し、前記低抵抗層が前記金属層と前記高濃度にドープされたアモルファスシリコン層との界面反応で形成された金属拡散層であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-045066
  
• 特開昭60-211982