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J-GLOBAL ID：200903097537670842

単一バイアスブロックを有する低電圧RF増幅器および混合器

Inventor： カールトン ステュービング ,  リチャード ダグラス シュルツ ,  トーマス デーヴィッド ブローガン ,  サング-グーグ リー
Applicant, Patent owner： ハリス・コーポレーション
Agent (1)： 平田 忠雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994160207
Publication number (International publication number)：1995154158
Application date： Jul. 12, 1994
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】低電源の適用における従来技術のダイナミックレンジ上の重要な制限を除去する新規な低電圧RF増幅器を提供する。【構成】電源と、ベース、コレクタおよび交流接地エミッタを有するトランジスタと、負荷に電流が流れない時前記電源の全電圧が前記コレクタに印加されるように前記コレクタと前記電源間に効果的に接続される負荷と、前記ベースをバイアスする手段とからなるバイアスされた低電圧RF増幅器であって、前記バイアス手段が前記バイアス手段を前記トランジスタの外部装荷の効果から緩衝するための手段を含むことを特徴とする、バイアスされた低電圧RF増幅器。

Claim (excerpt)：

電源と、ベース、コレクタおよび交流接地エミッタを有するトランジスタと、負荷に電流が流れない時前記電源の全電圧が前記コレクタに印加されるように前記コレクタと前記電源間に効果的に接続される負荷と、前記ベースをバイアスする手段とからなるバイアスされた低電圧RF増幅器であって、前記バイアス手段が前記バイアス手段を前記トランジスタの外部装荷の効果から緩衝するための手段を含むことを特徴とする、バイアスされた低電圧RF増幅器。

IPC (3)：

H03F 3/19 ,  H03D 7/14 ,  H03F 1/30