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J-GLOBAL ID：200903097546383872

位相シフトマスクの作製方法

Inventor： 菅原 稔
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993213318
Publication number (International publication number)：1995049558
Application date： Aug. 05, 1993
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】光透過領域や位相シフト領域を所望のパターン形状に正確に形成することができる位相シフトマスクの作製方法を提供する。【構成】位相シフトマスクの作製方法は、(イ)基板表面に位相シフト材料層、遮光層、及び二酸化シリコン層を順に形成する工程と、(ロ)二酸化シリコン層を所望のパターン形状にドライエッチングする工程と、(ハ)二酸化シリコン層をエッチングマスクとして用いて、遮光層をドライエッチングする工程と、(ニ)遮光層をエッチングマスクとして用いて、位相シフト材料層をドライエッチングする工程、から成る。

Claim (excerpt)：

(イ)基板表面に位相シフト材料層、遮光層、及び二酸化シリコン層を順に形成する工程と、(ロ)該二酸化シリコン層を所望のパターン形状にドライエッチングする工程と、(ハ)該二酸化シリコン層をエッチングマスクとして用いて、遮光層をドライエッチングする工程と、(ニ)遮光層をエッチングマスクとして用いて、位相シフト材料層をドライエッチングする工程、から成ることを特徴とする位相シフトマスクの作製方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528