薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994071269
Publication number (International publication number)：1994349856
Application date： Mar. 17, 1994
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】オン/オフ電流比を増加させて素子特性を改善させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供すること。【構成】基板に絶縁層を形成し、その上に半導体層を形成するとともに上面と下面とが異なる幅を有するゲート電極を半導体層に形成させた。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成された半導体層と、その上面と下面とが異なる幅を有し、前記半導体層上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の半導体層内に形成された不純物領域とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/336 , H01L 29/784

FI (2)：

H01L 29/78 311 P , H01L 29/78 311 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (20)

特開平4-254335
特開昭58-075871
特開平1-300563

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