Pat
J-GLOBAL ID:200903097559593159
エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
池条 重信 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999248227
Publication number (International publication number):2001077120
Application date: Sep. 02, 1999
Publication date: Mar. 23, 2001
Summary:
【要約】【課題】 IG能を付与されたエピタキシャルシリコンウェーハの酸素析出核の不均一化形成を抑制し、シリコンウェーハ表面近傍にBMDが形成することなく、比較的短時間で処理できる、IG能に優れた製造方法の提供。【解決手段】 低温処理により潜在核を結晶全体に発生、成長させ、次に中温の熱処理を行って基板表面の潜在核を収縮、溶解させると同時に基板内部にBMDを成長、形成することにより、ウェーハ表層部にBMDを顕在化させずに内部にBMDを顕在化させることができ、結晶の成長方法でのBMD密度をばらつき少なく制御できること、さらに、この基板にエピタキシャル膜を形成すると、表面欠陥が生ぜず且つ基板内部にのみBMDが形成される。
Claim (excerpt):
CZ法によるシリコンウェーハに対する、450〜600°Cの温度で1時間〜24時間の熱処理工程と、850〜1050°Cの温度で30分〜4時間の熱処理工程と、エピタキシャル成長による成膜工程を含むエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
IPC (3):
H01L 21/322
, C30B 29/06 502
, H01L 21/205
FI (3):
H01L 21/322 Y
, C30B 29/06 502 E
, H01L 21/205
F-Term (13):
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077DB01
, 4G077FE12
, 5F045AB02
, 5F045AC05
, 5F045AD15
, 5F045AF03
, 5F045BB12
, 5F045BB14
, 5F045DA67
, 5F045HA06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
特開平3-185831
-
特開平4-175300
-
P/P- エピタキシャルウェーハ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-299079
Applicant:コマツ電子金属株式会社
-
特開平3-185831
-
特開平4-175300
Show all
Return to Previous Page