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J-GLOBAL ID：200903097561197961

薄膜トランジスタ及びその作製方法

Inventor：
秋元 健吾

About 秋元 健吾

, 
山口 哲司

About 山口 哲司


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002302383
Publication number (International publication number)：2004140123
Application date： Oct. 16, 2002
Publication date： May. 13, 2004
Summary：
【課題】良好な特性を得ることができる薄膜トランジスタ及びその作製方法の提供、画素部及び駆動回路で各々所望の特性を有する薄膜トランジスタ及びその作製方法の提供を課題とする。【解決手段】本発明は、絶縁表面上に下部電極を形成し、前記下部電極と重なるように半導体を形成し、前記半導体上にゲート絶縁膜及び金属膜をスパッタリング法により連続的に形成し、前記金属膜をエッチングしてゲート電極を形成し、前記ゲート電極及びレジストマスクを用いて、前記半導体に不純物元素を添加し、前記ゲート絶縁膜及び前記不純物元素が添加された半導体にRTAを行うことを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
絶縁表面上に下部電極を形成し、 前記下部電極と重なるように半導体を形成し、 前記半導体上にゲート絶縁膜及び金属膜をスパッタリング法により連続的に形成し、 前記金属膜をエッチングしてゲート電極を形成し、 前記ゲート電極及びレジストマスクを用いて、前記半導体に不純物元素を添加し、 前記ゲート絶縁膜及び前記不純物元素が添加された半導体にRTAを行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
IPC (5)：
H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L29/786
FI (6)：
H01L29/78 617V ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 602B ,  H01L29/78 627F ,  H01L29/78 617U
F-Term (135)：
2H092GA29 ,  2H092GA59 ,  2H092JA11 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA35 ,  2H092JA36 ,  2H092JA37 ,  2H092JA40 ,  2H092JA46 ,  2H092JB43 ,  2H092JB54 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA13 ,  2H092KB25 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA14 ,  2H092MA17 ,  2H092MA20 ,  2H092MA22 ,  2H092MA25 ,  2H092MA27 ,  2H092MA28 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA41 ,  2H092NA21 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  5F052AA02 ,  5F052AA12 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB04 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA12 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052HA07 ,  5F052JA02 ,  5F052JA04 ,  5F110AA08 ,  5F110AA12 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN54 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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