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J-GLOBAL ID：200903097564178054

反射鏡

Inventor： 辻村 歩 ,  大川 和宏 ,  吉井 重雄 ,  三露 常男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993145999
Publication number (International publication number)：1995007225
Application date： Jun. 17, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 可視短波長領域で動作するII-VI 族化合物半導体発光素子の光出力の有効な取り出しに不可欠な、光出射面の低反射率反射鏡を提供する。【構成】 ZnSe系レーザーダイオード7のへき開した端面に、それぞれ発振波長の1/2倍、1/4倍および1/4倍の光学厚さであるAl2 O3 膜8、MgO膜9およびAl2 O3 膜10を順に設けた反射鏡を形成し、端面反射率4%を得た。前記積層構造の反射鏡は、高周波マグネトロンスパッタリングを用いた。

Claim (excerpt)：

II-VI 族化合物半導体からなる発光素子の光出射面に、酸化アルミニウム(Al2 O3 )、フッ化セリウム(CeF3 )、酸化マグネシウム(MgO)、酸化ガドリニウム(Gd2 O3 )及び酸化スカンジウム(Sc2 O3)から選ばれる少なくとも1種類の誘電体の層を設けた反射鏡。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00